1) horizontal zone
水平区
2) horizontal zoning
水平分区
3) regional level
区域水平
1.
The background,methodology and technical route for developing criteria and indicators for sustainable forest management at regional level were introduced,including five regions such as northeast region;northwest region for arid,semi-arid area,southwest region,subtropical and tropical region.
本文介绍了森林可持续经营区域水平标准与指标体系制定的背景、方法、技术路线,中国区域水平标准与指标体系分为5个不同区域,东北国有林区、西北干旱半干旱地区、西南亚高山地区、亚热带地区和热带地区,对不同区域水平标准与指标体系从标准到指标的内容、数量和反应地区特点等方面进行了比较,分析了区域水平指标体系的特点,指出区域水平指标体系的作用,并对我国森林可持续经营标准与指标体系的研究进行了展望。
4) average water area
平水区
5) horizontal well region
水平井区
1.
Chang 6 reservoir in Pingqiao horizontal well region is a typical low permeability one.
安塞油田坪桥水平井区长 6 1 1 小层为典型特低渗储层 ,主要沉积类型为三角洲前缘分流河道和分流间微相 ,通过对取心井的岩电关系分析 ,建立了岩石相测井解释模型 。
6) interval level
区间水平
1.
Orthogonal Design determines interval level,GA is performed in the interval level.
该算法把正交设计与遗传算法结合起来 ,用正交设计确定区间水平 ,在每个区间水平按遗传算法进行搜索 ,正交设计能够发现包含最好解的区间水平 ,再在这个区间水平使用遗传算法进行搜索 。
补充资料：水平区熔法生长单晶
水平区熔法生长单晶
tal zone erystal growth by horizon-melting method
沿锭条分布均匀。 1953年W.范等建立水平区熔法生长锗单晶的装置。盛有Ge的石墨舟置于石英管内，用感应加热形成熔区，熔区沿籽晶移动生长成单晶。现己实现工业化生产。 1960年里查兹(Richards)为适应具有挥发性组分的GaAs晶体的特点，采用水平两温区区熔法生长GaAs单晶。由电阻加热，保温炉形成熔区，低温端是控制砷压的温区;Ga和As熔封在反应管内，当达到反应温度时，As挥发到Ga端化合，再以较快速度移动熔区一次，使化合更充分;然后用缓慢的速度(一10mm/h)从籽晶端向前移动熔区以生长单晶。经过多年实践与改进，水平区熔法生长GaAs单晶发展为多段加热的三温区区熔法(图2)。与两温区炉相比，熔区两侧的温度得到提高，这样有利于单晶生长和提高单晶质量( ┌─┬─┬─┬─┬─┐ │重│ │报│ │里│┌─┐┌─┐│ │ │ │ │ ││U ││曰││ │ ├─┤ │ ││ ││ ││ │ │ │ │ ││ ││ │└─┴─┴─┼─┼─┘│ ││ │ │巴│ │ │└─┘ └─┘ └─┘ 图2三温区炉示意图1调节架2石英反应管3高中温炉管4石英舟5 GaAS锭料6炉头保温炉7高温测点8高温保温炉9观察孔10中温测点H中温保温炉12低温炉13低温热电偶14支承瓷套管 (罗梓贤)水平区熔法生长单晶erystal盯owth by horizon-tal Zone melti眼method利用水平区熔法原理制备单晶的方法。属熔体生长的一种。1952年W.G.范(Pfann)发明区域熔化法，主要用于材料提纯，也可用于生长单晶。而简单的一次区域熔化具有区熔匀平的作用。当一个熔区通过一个起始浓度均匀的锭料时，在两端产生浓度不均匀的区域，而在中间相当大的部位有一个浓度平坦均匀的区域，其浓度分布见图1。其初始区和平坦区与W.T.里德(Read)所推导的方程表示的曲线相符。方程为二=(1一k)e一”x‘L吻式中c为锭料浓度，c0为平均浓度，k为一系数，L为锭料长度。最后一个熔区符合一次定向结晶分布故此法┌──────┐│‘/。化·达 │├──────┤│尽汪 │└──────┘ C!勺拐经匈处 距离x~图l一具有均匀的平均浓度c。约原料， 溶质的近似浓度分布经过一个熔区后
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参考词条