2) vibrating reed electrometer
振簧式静电计
3) vibrating reed electrometer
振簧静电计
4) transistorized level meter
晶体管式电平计
5) capillary electrometer
微量静电计，毛细管静电计
6) SIT
[英][sɪt] [美][sɪt]
静电感应晶体管
1.
A Study on Electrical Parameters of SIT;
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
2.
The gate region of conventional SIT(static induction transistor)is usually prepared by B diffusion in n-type Si,the preparation is complex and high in cost,so a new recessed-gate Schottky barrier SIT was proposed.
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。
补充资料：静电感应晶体管
| 静电感应晶体管 static induction transistor 源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管。简称SIT。1971年由日本的西泽润一首创。70年代中期，它作为音频功率放大器件在日本得到迅速发展。SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒控制。在漏极上加一定电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高，源漏电流越大，亦即源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的 。SIT的特点是频率覆盖范围宽、功率覆盖范围大，广泛应用于高保真音响、电源、电机控制、通信机、雷达、导航和各种电子仪器中。同双极型晶体管相比，SIT具有线性好、噪声小，输入阻抗高、输出阻抗低，开关速度快，可靠性高，低温性能好等优点。 |
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参考词条