2) electron impact at intermediate and high energies
中高能入射电子
3) incident ion's energy
入射离子能量
4) incoming neutron flux
入射中子通量
5) incident energy
入射能量
1.
The relations among energy exponent,incident energy and real efficient secondary electron emission coefficient at higher incident electron energy
较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系
2.
It reveals that the incident energy level and the variances of signal characteristics are the two main factors affecting the voltage level of signal pulses.
针对基于窗口调制和比色测温技术的热喷涂粒子参数测量系统,从理论上分析了瞄准距离变化对脉冲信号强度的影响,发现入射能量水平和信号特征的变化是影响实测脉冲信号强度的主要因素,二者的影响作用在小于理想瞄准距离时相反从而在一定程度上相互抵消,在大于理想瞄准距离时相同从而叠加,使得实测脉冲信号强度随瞄准距离的变化呈现不对称倒V形变化规律。
3.
The results show that the diffusion distance rises with the increase of incident energy above a certain temperature and under a certain deposition rate,and is hardly affected by the energy size of deposition particles at higher temperature and lower deposition rate.
在考虑沉积原子入射能量影响的基础上,建立了 Si(100)-(2×1)表面上 Si 薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型,并对薄膜生长的初期过程进行了研究。
补充资料：反射高能电子衍射
反射高能电子衍射是高能电子衍射的一种工作模式。它将能量为10～50keV的单能电子掠射 (1°～3°)到晶体表面，在向前散射方向收集电子束，或将衍射束显示于荧光屏（见图）。
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
一幅反射高能衍射图只能给出倒易空间（见倒易点阵）某个二维截面，从衍射点之间的距离可确定相应的晶面间距。旋转样品，可以在荧光屏上得到不同方位角的二维倒易截面，从而仍可获得表面结构的全部对称信息。
由于在晶体中电子散射截面远大于X 射线的散射截面，加之掠射角小，从而使反射高能衍射与低能电子衍射一样具有表面灵敏度（约10～40┱）,但它不仅限于作单晶表面结构分析，也可用于多晶、孪晶、无定形表面及微粒样品的表面结构分析。
反射高能电子衍射得到广泛运用是与分子束外延技术发展有关。它可用于原位观察外延膜生长情况，为改进生长条件提供依据。与低能电子的情况有所不同，高能电子束与晶体相互作用中非弹性散射较弱，其强度分析的理论还处于探索之中。
参考书目
Shozo Ino,Jαpanese Journal of Applied Physics,Vol.16,No.6,pp.891～908,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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