1) sputtering rate
溅镀速率
2) sputtering rate
溅射速率
1.
There are many factors influencing the thin-film NiCr resistor s TCR(temperature coefficient of resistance),such as the vacuum degree during sputtering,sputtering rate,substrate temperature,film thickness and temperature and its holding time in heat-treatment.
影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系,从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件。
2.
The total transport model was established and the sputtering rate and compound fraction (θ\-t)of the target were obtained through the analysis of the particle generation, transport and surface reaction The models are expressed by the macro technology parameters and the construction parameters of the chamber,which is of important applied value to sputtering deposited technique of film material
从粒子的产生、输运及表面反应出发 ,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度。
3) high rate sputtering
高速溅率
4) deposition rate
蒸镀速率
5) particle sputtering rate
粒子溅射速率
6) sputtering coating
溅射镀膜
1.
Application of robotic system in sputtering coating system;
机器人系统在溅射镀膜设备中的应用
2.
The combination of vacuum sputtering coating technology and chemical coating technology is launched to prepare electromagnetic shielding textiles,the principle of electromagnetic shielding is discussed.
试验表明,等离子体前处理、真空溅射镀膜、化学镀膜等多种技术的复合,能获得镀膜坚牢、宽频(1~18 GHz)和高效能(≥90 dB)的电磁屏蔽织物。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条