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1)  esbt
增强型肖特基势垒场效应晶体管
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2)  MESFET
金属肖特基势垒场效应晶体管
1.
Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
3)  dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
4)  sfet
肖特基势垒栅场效应晶体管
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5)  SBTT
肖特基势垒隧穿晶体管
1.
The characterizations of n type Schottky Barrier Tunneling Transistor (SBTT) were simulated using a Monte Carlo Device Simulator.
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
6)  MESFET
肖特基场效应晶体管
例句>>
补充资料：肖特基势垒（Schottkybarrier）
肖特基势垒（Schottkybarrier）

金属和半导体接触形成半导体表面势垒，此势垒又称肖特基势垒。

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参考词条