1) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)
氢化物气相外延法
2) HVPE
氢化物气相外延
1.
High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) using porous AAO as mask.
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。
2.
One of the best solutions to this problem would have been the use of freestanding GaN substrates, which are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) due to its high growth rate.
氢化物气相外延(HVPE)技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支撑衬底而逐渐受到重视。
3.
This dissertation summarized the GaN crystal growth methods that had been studied, and focused on the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technics.
本文对目前研究比较多的几种生长GaN体单晶的方法进行了综述,主要针对氢化物气相外延(HVPE)技术进行了研究。
3) hydride vapor phase epitaxy
氢化物气相外延
1.
Design and making of hydride vapor phase epitaxy system for growing GaN;
GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作
4) Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
氢化物气相外延(HVPE)
5) hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
氢化物汽相外延(HVPE)
补充资料：氢化物
分子式：
CAS号：
性质：严格地讲，氢化物是指氢与比氢电负性小的元素形成的二元化合物，氨、卤化氢、水、硫化氢等其中氢的氧化数都为+1，不应算作是氢化物，但在一般的教科书中习惯把氢和其他元素形成的二元化合物统称为氢化物。除稀有气体外，其他元素几乎都能和氢形成化合物。氢化物包括金属氢化物和非金属氢化物，通常讲的氢化物多指金属氢化物（metal hydride）。根据成键类型可分三种情况：（1）离子型氢化物（类盐型氢化物），主要包括碱金属、碱土金属（除铍、镁外）氢化物。都为白色固体盐，极易与空气中的水汽或氧反应。是优良的还原剂和干燥剂。如氢化钙即可用作野外发生氢的原料。（2）过渡金属氢化物，即过渡金属与氢生成的氢化物，多呈颜色，有金属光泽。脆性固体或粉末。具有导电性和磁性。用于粉末冶金及用作储氢材料。（3）中间型氢化物，第1族（IB）、第2族（IIB）和第3族（IIIA）部分元素的氢化物，都不稳定，尚未发现有多大的实用价值。
CAS号：
性质：严格地讲，氢化物是指氢与比氢电负性小的元素形成的二元化合物，氨、卤化氢、水、硫化氢等其中氢的氧化数都为+1，不应算作是氢化物，但在一般的教科书中习惯把氢和其他元素形成的二元化合物统称为氢化物。除稀有气体外，其他元素几乎都能和氢形成化合物。氢化物包括金属氢化物和非金属氢化物，通常讲的氢化物多指金属氢化物（metal hydride）。根据成键类型可分三种情况：（1）离子型氢化物（类盐型氢化物），主要包括碱金属、碱土金属（除铍、镁外）氢化物。都为白色固体盐，极易与空气中的水汽或氧反应。是优良的还原剂和干燥剂。如氢化钙即可用作野外发生氢的原料。（2）过渡金属氢化物，即过渡金属与氢生成的氢化物，多呈颜色，有金属光泽。脆性固体或粉末。具有导电性和磁性。用于粉末冶金及用作储氢材料。（3）中间型氢化物，第1族（IB）、第2族（IIB）和第3族（IIIA）部分元素的氢化物，都不稳定，尚未发现有多大的实用价值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条