1) Double-polysilicon emitter
双多晶发射极
2) polysilicon emitter
多晶发射极
1.
In modern advanced bipolar technology, polysilicon emitter structure is adopted.
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。
2.
After synthetizing requirement of home market at present stage, the circuit of class D power amplifier is designed basing on polysilicon emitter BiCMOS process of 0.
6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。
3) double polysilicon emitter transistor
双层多晶硅发射极晶体管
4) dual emitter transistor
双发射极晶体管
5) Polysilicon emitter
多晶硅发射极
1.
After a brief analysis of the advantages of polysilicon emitter bipolar transistors, a new technological process for the transistors is designed in this paper according to the bipolar technology available in our country, and the layout of a minimum size transistor is represented.
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
2.
Form a very small base width and adjustable uniform by using the special whole area structure, uniform polysilicon emitter buffer layer can form a uniform light emitter, which laid the foundation for the production of high-frequency devices.
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。
6) met.
多发射极晶体管
补充资料：双[1-(4-二甲氨基)苯基2-苯基1,2-二硫代乙烯合镍]
分子式：
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条