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1)  InP HBT
磷化铟异质结双极晶体管
2)  InP-based HBT
磷化铟基异质结双极晶体管
3)  double heterojunction bipolar transistor
双异质结双极晶体管
1.
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.
报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
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4)  DHBT
双异质结双极晶体管(DHBT)
5)  InP double heterojunction bipolar transistor
InP双异质结双极晶体管
1.
A physical model of small-signal InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is developed,which takes into account the base-emitter and collector-emitter metalisations by using two additional capacitances C_mb and C_mc.
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题。
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6)  Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
异质结双极晶体管
例句>>
补充资料：磷化铟
分子式：  InP 
CAS号：

性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。

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