CMOS光子器件,CMOS photonic devices,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) CMOS photonic devices 点击朗读

CMOS光子器件

In order to realize the practical application of the Silicon-based optoelectronic devices,the progress and characteristics of Silicon-based CMOS photonic devices using carrier dispersion effect with structures of P-I-N,Bipolar Mode Field Effect Transistor(BMFET),Metal Oxide Semiconductor(MOS)and PN junction are reviewed.

为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作。

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2) CMOS devices 点击朗读

CMOS器件

This paper presents the string elements for Single Event Latchup,and discusses the major characters and test method for Single Event Latchup of CMOS devices.

介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。

The partially depleted SOI CMOS devices and circuits with channel length of 0. 点击朗读

8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0。

12μm gate length CMOS devices are fabricated. 点击朗读

在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应。

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3) CMOS device 点击朗读

CMOS器件

Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray; 点击朗读

CMOS器件X射线与γ射线辐照效应比较

Deep sub-micron CMOS device modeling and BSIM models; 点击朗读

深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型

In studying latchup window phenomena in bulk-Si CMOS devices,a new method for prevention of latchup has been discovered,which is called pseudo-latchup path method.

在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。

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4) post CMOS 点击朗读

后CMOS器件

s:Several new devices which are the candidates of post CMOS devices possibly were introduced,including resonant tunneling transistors,single,electron transistors,CNTFETs,molecular devices and spin transistors.

介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。

5) CMOS/SOI device 点击朗读

CMOS/SOI器件

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6) CMOS imager 点击朗读

CMOS图像器件

This paper presented a super resolution image reconstruction algorithm based on the CMOS imager.

提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像。

补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]

分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

体硅CMOS器件 CMOS成像器件光子器件接收器CMOS器件辐照后CMOS器件 4000系列CMOS器件深亚微米CMOS器件应变硅CMOS器件光分子器件

高压CMOS器件纳米CMOS器件 CMOS 保护器件

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	您的位置：首页 -> 词典 -> CMOS光子器件 1) CMOS photonic devices CMOS光子器件 1. In order to realize the practical application of the Silicon-based optoelectronic devices,the progress and characteristics of Silicon-based CMOS photonic devices using carrier dispersion effect with structures of P-I-N,Bipolar Mode Field Effect Transistor(BMFET),Metal Oxide Semiconductor(MOS)and PN junction are reviewed. 为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作。更多例句>> 2) CMOS devices CMOS器件 1. This paper presents the string elements for Single Event Latchup,and discusses the major characters and test method for Single Event Latchup of CMOS devices. 介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。 2. The partially depleted SOI CMOS devices and circuits with channel length of 0. 8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0。 3. 12μm gate length CMOS devices are fabricated. 在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应。更多例句>> 3) CMOS device CMOS器件 1. Comparison on effects of CMOS devices irradiated by gamma and X ray; CMOS器件X射线与γ射线辐照效应比较 2. Deep sub-micron CMOS device modeling and BSIM models; 深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型 3. In studying latchup window phenomena in bulk-Si CMOS devices,a new method for prevention of latchup has been discovered,which is called pseudo-latchup path method. 在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。更多例句>> 4) post CMOS 后CMOS器件 1. s:Several new devices which are the candidates of post CMOS devices possibly were introduced,including resonant tunneling transistors,single,electron transistors,CNTFETs,molecular devices and spin transistors. 介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。 5) CMOS/SOI device CMOS/SOI器件例句>> 6) CMOS imager CMOS图像器件 1. This paper presented a super resolution image reconstruction algorithm based on the CMOS imager. 提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像。补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide] 分子式：C16H16ClN3O3S 分子量：365.5 CAS号：26807-65-8 性质：暂无制备方法：暂无用途：用于轻、中度原发性高血压。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条体硅CMOS器件 CMOS成像器件光子器件接收器CMOS器件辐照后CMOS器件 4000系列CMOS器件深亚微米CMOS器件应变硅CMOS器件光分子器件

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