1) i-line resist
i线光刻胶
2) linear property of photoresist
光刻胶线性
3) x ray resist
x 射线光刻胶
4) photoresist
[,fəutəuri'zist]
光刻胶
1.
Progress in the Research of Chemical Amplified Photoresist;
化学放大光刻胶高分子材料研究进展
2.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
3.
Key technique of photoresist through-mask Electrochemical micromachining;
光刻胶掩膜微细电化学加工参数的试验研究
5) 193 nm photoresist
193nm光刻胶
1.
2-methyl adamantine-2-yl methacrylate and 2-ethyl adamantine-2-yl methacrylate are two important monomers of matrix polymer for 193 nm photoresist.
甲基丙烯酸(2-甲基-2-金刚烷)酯和甲基丙烯酸(2-乙基-2-金刚烷)酯是两个重要的193nm光刻胶主体树脂的单体。
6) 248 nm photoresists
248nm光刻胶
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条