1) TSV etch system
TSV刻蚀系统
3) DRIE systems
离子刻蚀系统
1.
Emerging 3D interconnection technologies and high volume MEMS applications require cost effective mass production DRIE systems.
新兴的 3D 互联技术以及高产量的 MEMS 应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。
4) dry etching system
乾式蚀刻系统
5) helical etching system
螺旋型蚀刻系统
6) helicon etching system
螺旋波蚀刻系统
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条