1) DC reactive magnetron co-sputtering with two targets
双靶直流磁控共溅射
1.
Cu-doped TiO2 thin films were prepared by DC reactive magnetron co-sputtering with two targets.
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。
2) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
3) direct current magnetron co-sputtering
双靶直流共溅射法
4) direct current facing targets magnetron sputtering
直流对靶磁控溅射
1.
direct current facing targets magnetron sputtering and vacuum annealing.
本文采用两种制备方法在Si3N4基底上制备得到具有金属-绝缘体相变特性的氧化钒薄膜,即:一、离子束溅射高价非稳态氧化钒薄膜和还原热处理制备;二、直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜和真空热处理制备。
2.
Vanadium oxide thin films were deposited by reactive direct current facing targets magnetron sputtering,and then processed in oxygen ambience to fabricate phase transition vanadium oxide thin films.
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(VO2-x)薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。
5) dual targets sputtering
双靶共溅射
补充资料：双[1-(4-二甲氨基)苯基2-苯基1,2-二硫代乙烯合镍]
分子式：
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
CAS号：
性质：紫黑色单斜晶体。熔点277～278℃。溶于苯、甲苯、三氯甲烷等大多数有机溶剂。红外频率υ(C＝S)1190、1165、1140cm-1,红外频率υ(S-C-C-S)880cm-1。由对二甲氨基安息香、五硫化二磷在二噁烷(二氧六环)中反应后,加入镍(Ⅱ)盐溶液制得。用作光学非线性材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条