1.
The model parameters are extracted with the aid of agate-controlledtransistor structure.
利用栅控晶体管作为测试结构,提取出了主要的基区表面参数。
2.
junction gate static induction transistor
结栅静电感应晶体管
3.
multiple gate finger fet
多梳形栅场效应晶体管
4.
single gate FET
单栅极场效应晶体管
5.
offset gate fet
补偿栅场效应晶体管
6.
junction gate field effect transistor
面结型栅场效应晶体管
7.
junction gate fet
结型栅场效应晶体管
8.
silicon insulated gate fet
硅绝缘栅场效应晶体管
9.
IGFET (isolated gate field effect transistor)
隔离栅场效应晶体管
10.
self aligned gate fet
自对准栅场效应晶体管
11.
floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
12.
mos insulated gate transistor
绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
13.
v groove mos transistor
v 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
14.
grooved gate mos transistor
v 型栅金属氧化物半导体晶体管
15.
Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
GB/T17007-1997绝缘栅双极型晶体管测试方法
16.
metal schottky fet
金属肖特基栅场效应晶体管
17.
resistive insulated gate fet
电阻绝缘栅场效应晶体管
18.
complementary insulated gate fet
互补隔离栅场效应晶体管