1) aluminum nitride
AlN
1.
The wax based polymer binder in injection molding of aluminum nitride;
注射成形AlN高导热陶瓷蜡基粘结剂
2.
In the present work,the thermal conductivity of alumina was improved by adding aluminum nitride with high thermal conductivity.
本文选用导热系数较高的AlN来改善Al2O3陶瓷的导热性能;并借助SEM和XRD对材料的微观结构和物相进行了分析。
3.
The precipitation of aluminum nitride in low carbon aluminum-killed steels produced by TSCR is studied by means of heat treatment and chemical phase analysis.
利用热处理和化学相分析对薄板坯连铸连轧低碳铝镇静钢中AlN的沉淀析出行为进行了试验研究。
2) AlN-Al3Ti
AlN-Al_3Ti
1.
An advanced method of producing AlN-Al3Ti/ZL101 in-situ composite is described in this paper.
研究了AlN-Al_3Ti/ZL101原位复合材料的制备工艺,采用OM,SEM及TEM对该材料的微观结构进行了研究,用MTS800力性试验机测试了材料的力学性能。
4) AlN active welding
AlN封接
5) AlN ceramics
AlN陶瓷
1.
time,temperature and pressure,on sintering charac- teristics of AlN ceramics were studied.
0GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结。
6) AlN thin film
AlN薄膜
1.
Pulsed KrF excimer laser deposition of AlN thin films;
AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积
2.
Physical properties and deposition technique of AlN thin films are described.
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
3.
AlN thin films are promising to be used as insulator for high-temperture and high-power devices in microelectronics fields.
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条