1) diboride trioxide-titanium dioxide-magnesium-carbon
B2O3-TiO2-Mg-C
2) B-2O-3/TiO-2-ZrO-2
B2O3/TiO2-ZrO2
3) TiO_2/C
TiO2/C
1.
The immobilized TiO_2 photocatalyst on activated carbon was prepared by dipping method,the crystal phase and morphology of TiO_2/C were investigated by XRD and SEM,and the phenol in water was choiced as objective substance in the study of photocatalysis.
采用浸渍法以活性炭为载体制备了TiO2/C光催化剂,通过XRD,SEM技术对负载型光催化剂的晶型结构和形貌进行了表征,以苯酚溶液为降解对象,考察了溶液的初始浓度、不同pH、催化剂负载量以及气体流量对负载型二氧化钛光催化降解苯酚溶液过程的影响。
4) B2O3·TiO2/Ti film
B2O3·TiO2/Ti催化剂
1.
B2O3·TiO2/Ti film was in-situ synthesized on the surface of Ti plate by anodic oxidation and was used as the adsorbent in our w.
现采用阳极氧化法在基体钛表面原位合成B2O3·TiO2/Ti催化剂为吸附剂,系统地研究了腐殖酸在膜催化剂上的吸附行为,探讨了温度、溶液pH值、腐殖酸初始浓度、外加偏压等因素对吸附的影响,结果表明:低温、酸性条件下有利于腐殖酸在膜催化剂上吸附,吸附量随初始浓度、外加偏压的增加而增大,B2O3·TiO2/Ti催化剂吸附腐殖酸的等温线数据可用Freundlich等温吸附方程描述,吸附过程遵循Lagergren二级吸附动力学模型。
5) B 2O 3/TiO 2-ZrO 2 catalyst
B2O3/TiO2-ZrO2催化剂
6) B_2O_3
B2O3
1.
Effects of B_2O_3 content on viscosity,melt temperature and structure of mold powder mixture were investigated.
采用正交实验设计原理设计保护渣的组成,研究B2O3对稀土钢连铸保护渣的粘度、熔化温度和组织结构的影响,提出了B2O3在稀土钢连铸保护渣中的合适含量。
2.
2) (CLNT) ceramics with B_2O_3 are investigated.
研究了添加B2O3的Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTi3x]O3-δ(0≤x≤0。
3.
The reaction of Li_3N-B_2O_3 and Mg-B_2O_3 under different pressure and temperature has been studied and the piase of the resultant has been analyzed by X-ray diffraction(XRD) method.
通过B2O3与Mg和Li3N分别在不同温度压力条件下的反应,用X射线方法研究了生成物的物相。
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条