1) dislocation emission and motion
位错发射和运动
1.
In situ tensile test in TEM showed that a dislocation-free zone (DFZ) formed ahead of a loaded crack tip when dislocation emission and motion reached equilibrium under keeping constant displacement, and a microcrack initiated after the dislocation emission and motion developed to a certain condition through increasing load.
结果表明，氢能促进位错的发射、增殖和运动 和未充氢纯Ｎｉ相比，充氢试样在更低的外应力下位错就会发射和运动，当氢促进的位错发射和运动到临界条件时就会使氢致裂纹形核、扩展，导致低应力脆断。
2) dislocation emission
位错发射
1.
TEM observation of dislocation emission and nano-crack nucleation;
位错发射与纳米裂纹形核的TEM实验观察
2.
The results showed that chemisorption of Hg atoms could facilitate dislocation emission and motion.
结果表明：加载裂纹吸附Hg原子后能促进位错的发射、增殖和运动；当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时，脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展。
3.
The results showed that chemisorption of liquid metal atoms could facilitate dislocation emission,multiplication and motioll.
结果表明：液体金属吸附后能促进位错的发射、增殖和运动；当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时，脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展。
3) emissary dislocations
发射位错
4) dislocation movement
位错运动
1.
Meanwhile,the addition of Ca/Y and further impediment of the dislocation movement due to more .
1%Y(质量分数,下同)变质处理后的细晶强化和固溶强化作用提高了合金的拉伸强度和延伸率,同时由于Ca/Y元素的加入及晶界数量增多对位错运动的进一步阻碍作用降低了合金的应变振幅效应,从而降低了其阻尼性能;研究还发现Mg-0。
5) dislocation motion
位错运动
1.
To investigate the dislocation motion characteristics in low-temperature(LT) buffer during the growing process of lattice mismatched heterostructure,a 60° dislocation dipole and 5 types of ring-shaped hexagonal vacancy defects with their different relative positions to the dislocation are modeled in a Si crystal via molecular dynamics simulation.
为了研究晶格常数不匹配的异质结结构(Si1-xGex/Si)在生长过程中低温缓冲层内的位错运动特性,在Si晶体中建立了60°位错偶极子,以及相对于位错不同空间位置的5种六边形环状空位缺陷模型。
2.
To get the screw dislocation motion characteristic in the growing process of lattice mismatched heterostructures,a pair of screw dislocations is introduced in a full periodic Si crystal via dislocation dipole modeling.
通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系。
3.
We investigate the characteristics of dislocation motion as influenced by defects in a low temperature buffer during the growth of lattice-mismatched heterostructures(SiGe/Si).
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
6) emitting screw dislocation
发射螺位错
补充资料：发射窗口和发射场
用运载火箭发射航天器，不是任何时候都可以进行，有年份、月份、日期和时刻的选择。比如，哈雷彗星以76年为周期回归，哈雷彗星探测器应选在其回自太阳的几个连续年份中发射；火星与地球的会合周期为780天，火星探测器应在火星与地球会合前后连续的几个月份中发射；有些航天器必须在某个月内连续的几天中发射；由于工作条件和轨道要求，以及气象的限制，有些航天器必须在某日内某个时刻到另一个时刻内发射。这种允许航天器发射的时间范围，叫作发射窗口。
航天发射场是发射航天器的特定区域，其主要功能是完成运载火箭和航天器的装配、测试和发射；对飞行中的运载火箭及航天器进行跟踪测量，获取数据，进行处理和分析；对运载火箭及航天器进行监视和安全控制，完成检测和发射的后勤保障等。
发射场场址的选择，有着十分复杂的综合性的矛盾要求。如它应靠近工业区，有方便的交通条件，但又应远离人口稠密的地区；它要求雷雨少、湿度小、风速低、温差变化不大的地方，但又要有丰富的水源，且应尽量靠近赤道的低纬度地区；它要求地质坚实，有较好的安全条件，但又要求地势平坦开阔，有良好的布局和发射条件等。
发射场通常由测试区(技术阵地)、发射区(发射阵地)、发射指挥控制中心、地面测控系统及辅助设施组成。测试区是进行技术准备的专用区，主要任务是对运载火箭和航天器进行装配、测试，对其内部各系统的单个仪器设备进行检测、试验。主要设施有火箭装备测试厂房、航天器装配测试厂房、固体火箭装配厂房。供电站、发电站、火工品库、地面设备库和各种实验室。发射区是发射前准备和发射的专门区域；地面测控系统是对运载火箭和航天器进行跟踪测量，接收遥测和外测信息，发送监控、安全指令和通信信息的一整套地面设施，配置在发射场和火箭飞行航区。
发射指挥控制中心是进行指挥、监控和管理的机构，包括发射控制室、指挥控制室、安全控制室、计算中心和设备保障室等。
航天发射场是发射航天器的特定区域，其主要功能是完成运载火箭和航天器的装配、测试和发射；对飞行中的运载火箭及航天器进行跟踪测量，获取数据，进行处理和分析；对运载火箭及航天器进行监视和安全控制，完成检测和发射的后勤保障等。
发射场场址的选择，有着十分复杂的综合性的矛盾要求。如它应靠近工业区，有方便的交通条件，但又应远离人口稠密的地区；它要求雷雨少、湿度小、风速低、温差变化不大的地方，但又要有丰富的水源，且应尽量靠近赤道的低纬度地区；它要求地质坚实，有较好的安全条件，但又要求地势平坦开阔，有良好的布局和发射条件等。
发射场通常由测试区(技术阵地)、发射区(发射阵地)、发射指挥控制中心、地面测控系统及辅助设施组成。测试区是进行技术准备的专用区，主要任务是对运载火箭和航天器进行装配、测试，对其内部各系统的单个仪器设备进行检测、试验。主要设施有火箭装备测试厂房、航天器装配测试厂房、固体火箭装配厂房。供电站、发电站、火工品库、地面设备库和各种实验室。发射区是发射前准备和发射的专门区域；地面测控系统是对运载火箭和航天器进行跟踪测量，接收遥测和外测信息，发送监控、安全指令和通信信息的一整套地面设施，配置在发射场和火箭飞行航区。
发射指挥控制中心是进行指挥、监控和管理的机构，包括发射控制室、指挥控制室、安全控制室、计算中心和设备保障室等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条