3) intrinsic microcrystalline silicon(μc-Si)
本征微晶硅(μc-Si)
4) intrinsic amorphous silicon film
本征非晶硅薄膜
5) microcrystalline silicon
微晶硅
1.
Role of gas residence time in the deposition rate and properties of microcrystalline silicon films;
气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析
2.
The study and application of 2-D model for microcrystalline silicon thin film;
二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用
3.
Influence of light exposure and applied bias on the conductivity of microcrystalline silicon films at room temperature;
光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响
补充资料：微晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条