1) MCT PV device
碲镉汞光伏器件
1.
The influence of MS transport on the current voltage characteristic of MCT PV device was investigated based on the current voltage characteristics of MCT Schottkey barrier.
根据金属 -碲镉汞接触的基本电流 -电压关系 ,深入讨论了金属 -半导体 (MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件 I- V特性的影响 ,并对实际器件的测量数据进行了分析比较 。
2) SWIR HgCdTe photodiodes
短波红外碲镉汞光伏器件
3) HgCdTe material and photodiodes
碲镉汞材料与器件
5) mercury cadmium telluride detector
汞镉碲检测器
补充资料：碲化镉汞晶体
分子式：
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条