1) HgCdTe
碲镉汞材料
1.
HgCdTe is a very important fundamental infrared semiconductor material for our national high technology, HgCdTe and related devices have been adopted as the key component in the region of our independent space technology and used in the weather satellite of our country.
碲镉汞材料是我国战略性高技术-红外光电技术的重要支撑性与基础性材料,已作为我国的自主技术在国家的航天领域得到了在轨应用。
2) HgCdTe material and photodiodes
碲镉汞材料与器件
3) mercury cadmium telluride detector materials
碲镉汞探测器材料
4) Cdl-x_Znx_Te
碲锌镉材料
5) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
6) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
补充资料：碲镉汞探测器材料
分子式：
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
CAS号：
性质：用于制造8～14μm波段红外探测器的晶体材料,为光电导型探测器材料。在本征吸收带内具有很高的光学吸收系数(大于2000cm-1，量子效率较高，光电增益很高，电子浓度5×1014cm-3)。空穴浓度1×1016cm-3。采用在碲化镉、碲锌镉衬底上用液相外延法生长薄膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条