1) gate oxide
栅氧化膜
1.
After deposition, the Transient photoconduction of IMD layer (including FSG and USG) enable the plasma current to leak through and stress the underlying gate oxide.
本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。
2) Gate oxide
栅氧化层
1.
A unified percolation model for gate oxide breakdown;
栅氧化层击穿的统一逾渗模型
2.
A physical-based percolation model for gate oxide TDDB;
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
3.
Experimental Research on Breakdown Characteristics of Thin Gate Oxide;
薄栅氧化层击穿特性的实验研究
3) gate oxides
栅氧化层
1.
Constant voltage and constant current TDDB tests have been done on 2Onm gate oxides.
采用恒定电压和恒定电流试验方法对２０ｎｍ栅氧化层进行了ＴＤＤＢ可靠性评价试验，并完 成了１／Ｅ模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层ＴＤＤＢ退化的统计模型，较好地解释了试验结 果。
4) gate oxide
栅氧化物
6) thin gate oxide
薄栅氧化物
补充资料：阳极氧化膜封闭
分子式：
CAS号：
性质：为了提高阳极氧化膜的耐蚀、抗污染、电绝缘和耐磨等性能，铝及其合金在阳极氧化和着色后都要进行封闭处理。对不染色的膜，可进行沸水或蒸汽封闭，也可用重铬酸盐和有机物等封闭；对染色后的膜，可进行沸水或蒸汽封闭，也可用无机盐水解法封闭。沸水和蒸汽封闭法的原理是利用Al2O3的水化作用，导致体积增大而封闭孔隙；重铬酸盐封闭法，有填充和水化封闭的双重作用；无机盐封闭法则是利用钴或镍盐被氧化膜吸附后，水解生成氢氧化物，沉淀于孔隙中将孔封闭。
CAS号：
性质：为了提高阳极氧化膜的耐蚀、抗污染、电绝缘和耐磨等性能，铝及其合金在阳极氧化和着色后都要进行封闭处理。对不染色的膜，可进行沸水或蒸汽封闭，也可用重铬酸盐和有机物等封闭；对染色后的膜，可进行沸水或蒸汽封闭，也可用无机盐水解法封闭。沸水和蒸汽封闭法的原理是利用Al2O3的水化作用，导致体积增大而封闭孔隙；重铬酸盐封闭法，有填充和水化封闭的双重作用；无机盐封闭法则是利用钴或镍盐被氧化膜吸附后，水解生成氢氧化物，沉淀于孔隙中将孔封闭。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条