1) ternary intermetallic compounds
三元合金中间化合物
1.
There are great deals of ternary intermetallic compounds.
本论文在以往有无三元合金系中间化合物生成的预报研究基础上,用多级投影等模式识别方法,对部分含有稀土金属元素的三元合金中间化合物的晶体结构类型进行了规律总结和预报,取得了很好的效果。
2) Ternary intermetallic compound
三元合金系中间化合物
3) ternary boride hard alloy
三元硼化物硬质合金
1.
A ternary boride hard alloy was prepared on Q235 steel substrate surface to form a new type of cladding material with ex-cellent wear and corrosion resistance by in situ reaction and liquid phase sintering in a vacuum furnace.
采用原位反应真空液相烧结技术,在Q235钢基体表面制备三元硼化物硬质合金覆层,使钢基体表面获得耐磨抗蚀、界面结合强度高的覆层材料。
2.
A ternary boride hard alloy was prepared on Q235 steel substrate surface to form a new type of cladding material with ex- cellent wear and corrosion resistance by in situ reaction and liquid phase sintering in a vacuum furnace.
采用原位反应真空液相烧结技术,在 Q235钢基体表面制备三元硼化物硬质合金覆层,使钢基体表面获得耐磨抗蚀、界面结合强度高的覆层材料。
4) ternary compound
三元化合物
1.
The structure,composition range and phase equilibrium of a ternary compound T_1 at the low Nd side in the Mg-Zn-Nd system have been investigated by SEM,EPMA,XRD and TEM.
利用扫描电镜,电子探针、X射线衍射仪和透射电镜对Mg-Zn-Nd系低Nd三元化合物T_1相的成分、结构及其相平衡关系进行了研究。
2.
It has been shown that the ternary compounds T2 and T3 exist in the Mg-rich corner of the Mg-Zn-Nd system.
3%的三元化合物T2相,和成分范围为Mg:25。
5) ternary compounds
三元化合物
1.
Ternary compounds MeI AgI (Me:K,Rb,Cs) thin films were grown by vacuum evaporation.
介绍了用真空蒸发技术制备三元化合物体系MeI AgI(Me :K ,Rb ,Cs)中各种材料薄膜的工艺过程 ,为实现不同温度下的光谱测量 ,设计了真空低温测量装置 ,测定并初步分析了薄膜在液氮温度下的激子谱及其规
6) alloy intermediate
合金中间物
补充资料：三元化合物半导体材料
分子式：
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条