1) HDP-CVD
高密度等离子体化学气相沉积工艺
1.
Starting with film deposition’s principle and combining CVD(Chemical Vapor Deposition) theory, to investigate how to deposit STI film by HDP-CVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) process.
并从薄膜的沉积原理着手,结合化学气相沉积工艺原理,研究利用高密度等离子体化学气相沉积工艺制作的浅沟槽隔离薄膜。
2) HDP CVD
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)
1.
For its stability and good Gap fill performance, high density plasma chemical vapour deposition (HDP CVD) is widely used in VLSI manufacture.
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。
3) plasma chemical vapor deposition
等离子体化学气相沉积
1.
Influence of discharge current on hot cathode plasma chemical vapor deposition of diamond films;
放电电流对热阴极等离子体化学气相沉积金刚石膜影响
2.
Effect of plasma chemical vapor deposition parameters on electron property in Ar plasma;
等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响
3.
The relation between characteristics of hot cathode glow discharge and diamond film deposition techniques in hot cathode glow discharge plasma chemical vapor deposition process was discussed.
研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中,热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系。
4) PCVD
等离子体化学气相沉积
1.
DEPOSITION THEORY OF THIN HARD PCVD COATINGS;
等离子体化学气相沉积(PCVD)硬质膜成膜理论
2.
Si B N composite films had been prepared at proper processing parameters by RF PCVD.
使用工业射频等离子体化学气相沉积 (RF -PCVD)设备 ,通过控制合理的工艺参数 ,在不同的基体负偏压下 ,分别制备出了Si B N非晶以及含有h BN、c BN显著结晶相的Si B N复合薄膜。
3.
SnO 2 Sb thin film is prepared with PCVD The film possesses better gas sensitivity When temperature rises, the response time maintains almost the same but the recovery time reduces and the sensibility gets higher When the temperature reaches 200℃ or more, the sensitivity maintains stable The difference between the sensibility of the resistors of different resistance is small (4 refs
利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。
补充资料：高密度
高密度
影像学术语。CT扫描中，高于参照结构密度值结构的密度。和常规X线影像不同，CT影像可测得经标定的密度值，因此可定量性地比较兴趣结构与参照结构的密度。由于参照结构的密度因结构而异，因此“高密度”的概念不是一恒定的密度值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条