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1)  NiCr-CN thin films
NiCr-CN薄膜
1.
The NiCr-CN thin films were deposited on SUS 304 substrates using DC magnetron reactive sputtering.
结果表明:采用直流磁控溅射可沉积出表面光滑、颜色均匀、附著力与韧性较好之NiCr-CN薄膜,其硬度和附著性能优化参数组合为功率3000W,偏压20V,C_2H_2流量20sccm,N_2流量40sccm。
2)  NiCr thin films
NiCr薄膜
3)  NiCr/TiW films
NiCr/TiW薄膜
4)  CN film
CN薄膜
1.
We here give a review of progress in the DLC and CN film research and discuss possibilities of using the film as antireflection thin film in some fields.
回顾了近年来关于DLC薄膜和CN薄膜光学性能的研究情况,讨论了改性的DLC薄膜用做增透膜的可行性。
2.
The thermal stability of CN films prepared by dual-facing-target sputtering was investigated by using Raman scattering.
用Raman散射研究了对向靶反应溅射法制备的CN薄膜的键结构研究表明,在C膜中掺杂N可以抑制CN膜中sp3键的形成,提高sp2键的相对含量,改善C膜的结构效稳定
5)  a-CN_x film
a-CN-x薄膜
6)  Au/NiCr/Ta film
Au/NiCr/Ta膜
补充资料:Ni

ni:

1 (non-intel,非英特尔架构)

除了英特尔之外,还有许多其它生产兼容x86体系的厂商,由于专利权的问题,它们的产品和英特尔系不一样,但仍然能运行x86指令。

2 美国国家仪器(ni)有限公司(national instruments)

national instruments (美国国家仪器有限公司,简称ni)创立于1976年,总部设于texas州首府austin,是一家测量行业的上市公司 (纳斯达克挂牌代号 nati) ,在世界各地设有50多个分公司和办事处,和众多系统联盟成员。

3

元素符号: ni 英文名: nickel 中文名: 镍

相对原子质量: 58.7 常见化合价: +2,+3 电负性: 1.91

外围电子排布: 3d 4s2 核外电子排布: 2,8,16,2

同位素及放射线: ni-56[6.1d] ni-57[35.6h] *ni-58 ni-59[76000y] ni-60 ni-61 ni-62 ni-63[100y] ni-64 ni-65[2.51h]

电子亲合和能: 111.5 kj·mol-1

第一电离能: 737 kj·mol-1 第二电离能: 1753 kj·mol-1 第三电离能: 3393 kj·mol-1

单质密度: 8.902 g/cm3 单质熔点: 1453.0 ℃ 单质沸点: 2732.0 ℃

原子半径: 1.62 埃 离子半径: 0.69(+2) 埃 共价半径: 1.15 埃

常见化合物: nibr2 nio niso4 nis nicl2

发现人: 克朗斯塔特 时间: 1751 地点: 瑞典

名称由来:

德语:kupfernickel(假铜)。

元素描述:

硬而柔韧的银白色金属。见于地壳局部,平均含量百万分之70。能被磨得光亮如镜,通常情况下绝不生锈。

元素来源:

主要见于镍黄铁矿[(ni,fe)9s8]中。镍金属的生产方法是在鼓风炉里加热矿石,于是矿石中的硫被氧置换。随后用酸处理生成的氧化物,铁就会与酸反应,而镍保留下来。

元素用途:

由于镍的耐腐蚀性,可用作镀层金属、制金属合金,也可用于制镍镉电池、作催化剂,以及铸造硬币。

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参考词条