1) amorphous idium gallium-zinc-oxied(a-IGZO)
非晶铟-镓-氧化锌
2) Amorphous zinc oxide
非晶氧化锌
3) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
4) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
5) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
6) indium gallium antimonide crystal
锑化镓铟晶体
补充资料：磷化镓铟单晶
分子式：In1-xGaxP,0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体，0.7≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度在1.34～2.20eV范围变化，电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x<0.7时为直接带隙半导体，0.7≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度在1.34～2.20eV范围变化，电子迁移率6×10-2m2/(V·s)。采用外延法制备。用于制备可见光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条