1) Al_mGa_ 1-m N/GaN
AlmGa1-mN/GaN
2) Ga_(1-x)Mn_xN
Mn掺杂GaN
1.
The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga_(1-x)Mn_xN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals.
计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大。
3) O and Mn co-doping GaN
O和Mn共掺GaN
4) Si and Mn co-doped GaN
Si和Mn共掺GaN
1.
First principle study of Mg,Si and Mn co-doped GaN
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
5) gallium nitride
GaN
1.
Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material;
GaN材料中离子注入的研究进展
2.
Optical and Electrical Properties Studies of Different Ions Implanted Gallium Nitride;
离子注入GaN的光学和电学特性研究
3.
Based on Chin’s theory,which describes the concentration and compensation ratio dependencies of the low-field mobility in gallium nitride in wide concentration ranges (1016~1020cm-3) at room temperature,an analytic model for the compensation ratio of unintentionally doped GaN at room temperature has been obtained.
用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数。
6) Manganese
[英]['mæŋɡəni:z] [美]['mæŋgə'niz]
Mn
1.
Influence of manganese on oxide resistance and slay resistance of carbonaceous refratory;
Mn对铝锆碳耐火材料性能的影响
2.
Direct Determination of Copper, Zinc and Manganese in Food Samples by Slurry Sampling Graphite Furnace Atomic Absorption Spectrometry;
悬浮体制样石墨炉原子吸收光谱法直接测定食品中的Cu、Zn、Mn
3.
The effect of Manganese on the properties of hardness and wear-resistance of ZA silicon phase spheroidizing alloy,including ZA27,ZA35 and ZA45,has been investigated.
研究了在硅相球化的ZA27、ZA35及ZA45合金中加入不同量的Mn时,对ZA合金硬度及耐磨性的变化规律。
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条